28nm到14nm工艺代沟,全耗尽硅技术如何弥补

赵佶

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28nm到14nm工艺代沟,全耗尽硅技术如何弥补

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正今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28 nm巨大产量与20 nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14 nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧

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来源
《半导体信息》 |2012年第4期|P.15-18|共4页
作者
赵佶;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体器件制造工艺及设备;
关键词
nm; 加值; 技术进步; 埋层; 传统工艺技术; 生产步骤; 厚度均匀性; 基板; 静电泄漏; 预定义;

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