宜普公司认为GaN器件开始侵食硅功率MOSFET市场

机译：薄膜绝缘体上硅功率MOSFET在高温下的器件特性

机译：迄今为止，GaN（氮化镓）GaN功率器件的吸引力在于：GaN功率器件的潜力，器件的功能以及实现收益的专有技术

机译：检查功率器件维护GaN的量产系统被公认为是扩展功率电子产品的重要产品

机译：GAN / SIC CASCODE器件和SIC功率MOSFET的短路鲁棒性和故障机制的比较

机译：GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征

机译：Algan / GaN在没有GaN缓冲层的SIC器件上：电气和噪声特性

机译：“资本市场通胀时代的货币政策”摘要：资本市场通胀理论认为，长期证券市场的价值取决于资金流入这些市场的不平衡。由此导致的公司资本过度导致银行业的脆弱性增加，破坏了货币政策以及短期和长期利率之间的稳定关系，例如凯恩斯在其投机性货币需求理论中假设的那种。此外，虽然银行业脆弱性的增加是直接影响，但资本市场通胀也在整个资本市场中形成了不稳定的庞氏融资结构。

机译：GaN功率电子器件：从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。

机译：用于大电流/高压横向GaN晶体管的硅半导体器件结构中的GaN及其制造方法

机译：GaN基半导体发光器件，发光器件组件，发光器件，用于制造GaN基半导体发光器件的方法，用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置

机译：GaN晶体，GaN晶体衬底，GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法，以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法