Vishay推出最低导通电阻P沟道功率MOSFET

郑冬冬

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正器件在4.5 V下导通电阻仅为34 mΩ,具有1.6 mm×1.6 mm的占位面积和不到0.8 mm的高度,可在1.2 V的电压下导通,适用于更低电压的手持式电子产品。2011年8月17日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,发布占位面积为1.6mm×1.6 mm、高度小于0.8 mm的新款8 V P沟道TrenchFETR功率MOS-

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来源
《半导体信息》 |2011年第5期|P.21-21|共1页
作者
郑冬冬;
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作者单位

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正文语种 CHI
中图分类场效应器件;
关键词
P沟道; 导通电阻; Vishay; 占位面积; 电子产品; 多媒体播放器; 负载开关; 电平转换电路; 平板电脑; 栅极驱动;

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