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孙再吉;
机译:Cree展示SiC衬底
机译:旋涂-热解法在6H-SiC(0 0 0 1)衬底上外延生长ZnO薄膜
机译:CREE认真出售SiC 4英寸板-扩大直径以期开始大规模生产SiC功率器件
机译:荧光4H-SIC层上的荧光4H-SIC层上的横轴衬底
机译:AlN,4H-SiC,3C-SiC和ZrB2衬底上磷化硼的外延。
机译:4H-SiC衬底上4H-SiC圆形膜的杨氏模量和残余应力的研究
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究
机译:表面改性单晶SiC衬底,具有外延生长层的单晶SiC衬底,半导体芯片,用于物种衬底的单晶SiC生长和单晶生长层多晶SiC衬底的制造方法
机译:SiC晶体的制造方法和SiC晶体,以使微管从衬底延续到衬底,SiC单晶膜,SiC半导体元件,SiC单晶衬底
机译:氮化合物半导体衬底和氮化合物半导体衬底的制造方法以及单晶SiC衬底和单晶SiC衬底的制造方法
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