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孙再吉;
韩国三星 GaN LED亮度 过钝化 乙二醇溶液 深坑 蓝宝石衬底 生长标准 光学性能 MOCVD;
机译:采用创新技术的具有GaN功率器件的LED灯泡和大功率LED泛光灯
机译:三菱化学,GaN衬底为蓝色LED为高亮度白色LED和GAN板为蓝色LED
机译:使用薄缓冲层技术在150 mm Si衬底上生长的高亮度GaN-on-Si基蓝色LED
机译:GaN基高亮度LED和UV LED
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:新型薄GaN LED结构采用微磨光表面可与传统垂直LED在紫外光下进行比较
机译:通过P-GaN表面处理AR等离子体处理的GaN基LED输出功率的增强
机译:在简单的牺牲衬底上外延生长GaN基LED。总结报告
机译:GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
机译:GaN基LED元件,制造GaN基LED元件的方法以及制造GaN基LED元件的模板
机译:GaN基LED元件电极和GaN基LED元件及其制备方法。
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