松下开发出低功耗CMOS晶体管

盛柏桢

首页> 中文期刊>半导体信息 >松下开发出低功耗CMOS晶体管

松下开发出低功耗CMOS晶体管

开具论文收录证明 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

正日本松下公司目前宣布,公司已开发出一种CMOS晶体管,该晶体管将显著降低系统芯片的能耗。松下电子公司表示,该晶体管采用纳米技术,通过在硅半导体上涂上一层薄薄的硅锗层研制而成。由于硅锗的导电性能极佳,因此该晶体管可以在0.5伏的电压下工作,即传统晶体管工作电压的1/3。使用该晶体管,可以使新芯片的能耗降低90%以上,从而在很大程度上降低芯片的发热量,这对于开发高性能芯片是至关重要的。公司透露,该款芯片有望在2005或2006年被用于下一代移动设备中。

著录项

来源
《半导体信息》|2003年第2期|P.29-29|共1页
作者
盛柏桢;
展开▼
作者单位

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
纳米技术; 日本松下公司; 工作电压; 硅半导体;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 松下开发出高输出功率GaN晶体管 [J] . . 中国集成电路 . 2010,第009期
2. 索尼3CMOS叫板松下3CCD Sony DCR-PC1000E VS Panasonic NV-GS400 [J] . 佐耳 . 视听技术 . 2005,第006期
3. 基于CMOS晶体管的太赫兹探测器研究进展 [J] . 付元旭 ,梁志茂 ,范菁 . 云南民族大学学报（自然科学版） . 2019,第002期
4. CMOS晶体管漏电流分析 [J] . 王旭 . 机电信息 . 2018,第021期
5. CMOS晶体管宽长比计算一题多解探讨 [J] . 王晓华 ,赵倩 . 科技风 . 2018,第007期
6. 基于CMOS工艺V—NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器 [C] . 张建恩 ,华斯亮 ,王东辉 . 中国科学院声学研究所第三届青年学术交流会 . 2009
7. 高速低压低功耗CMOS/BiCMOS运算放大器设计 [A] . 李俊 . 2008

松下开发出低功耗CMOS晶体管

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅