改善GaAs MESFET性能的新途径

机译：使用p-GaAs / AlGaAs异质结构改善无结场效应晶体管的性能

机译：利用自组装的AuGe纳米粒子改善InGaAs / GaAs量子点红外探测器的性能

机译：校准GaAsSb / InGaAs中有效隧穿带隙以改善TFET性能预测

机译：硅MOSFET的横向不对称性：改善其微波噪声性能的新途径

机译：通过使用应变平衡和分布布拉格反射器优化InGaAs量子阱，改善GaAs太阳能电池中的子带隙载体收集

机译：变质InAs / InGaAs和InAs / GaAs量子点结构的光电性能比较研究

机译：薄的Gaassb封端层，用于改善INAS / GaAs量子点太阳能电池的性能

机译：采用1.3非对称Ina1Gaas / InGaasp结构改善高速波导光电探测器的饱和性能

机译：用于改善GaAsSb / GaAs器件的温度性能的方法和装置

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机译：存储芯片结构具有具有不同阈值电压的GaA晶体管和用于改善多个应用中的性能的工作功能