VLSI中的Al金属化系统

李志国

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扼要介绍了Ａｌ在ＶＬＳＩ的作用及要求。指出了随着ＶＬＳＩ的发展，由Ａｌ金属化电迁徙引起的失效将成为影响ＶＬＳＩ可靠性的主要失效机理，并对由电迁徙引起的各种失效现象及相应的改进措施进行了分析。最后指出，随着Ａｌ金属化系统抗电迁徙性能的提高和新结构、新工艺的出现，Ａｌ在ＶＬＳＩ金属中的地位将会得到进一步的确认。

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来源
《微纳电子技术》 |1995年第6期|30-34|共5页
作者
李志国;
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作者单位

北京工业大学电子工程系;

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正文语种 chi
中图分类 TN470.6;
关键词
大规模集成电路; 铝; 金属化; 可靠性;

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