InP衬底上的InGaAs／InP双沟道HEMT

机译：B. Galieva，A. Ji的修正案。 Vasilyeva，R.M.Maumova，E. A.Klimova，P.P.P.Maltseva，S.S.Pushkareva，M. Yu。Presnyakova，I. N.Trunkin“Inalas / Ingaas / Inalas Hemg的结构和电神科性质，在量子坑中的INP基材上的InP衬底上的InP衬底的结构和电神经性质。” 2014. T. 59.第6号。第6. P. 990-998

机译：在量子阱中具有InAs插入物的InP衬底上的InAlAs / InGaAs / InAlAs HEMT异质结构的结构和电性能（第59卷，第900页，2014）

机译：量子阱中具有InAs插入物的InP衬底上InAlAs / InGaAs / InAlAs HEMT异质结构的结构和电性能

机译：在3英寸InP衬底上的0.07μm伪晶格InGaAs / InAlAs / InP HEMT MMIC的高可靠性

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。

机译：应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的（001）图案化Si衬底上生长的InP的缺陷

机译：错误到：“InP衬底上的Inalas / InGaAs / Inalas HEMT异质结构的结构和电性能与inaS阱插入量”

机译：通过金属有机分子豆外延生长在Ge / p共注入Inp衬底上的Inp / InGaas异质结双极晶体管。

机译：InGaAs / InP使用InGaAs / InP雪崩光电二极管在双极矩形门控信号下工作的近红外单光子探测器。

机译：InP衬底上的InAlAs / InGaAs两周期超晶格

机译：在掺有缓冲层的INP硅衬底上的INGAAS FINFET