氮化镓垂直沟道结场效应晶体管

机译：垂直沟道氮化镓（GaN）无结纳米线晶体管（JNT）的设计与分析

机译：垂直至氮化镓p-n二极管和结型场效应晶体管在低温下的低温下表征

机译：通过测量和技术-计算机辅助设计仿真研究金属-绝缘体-半导体场效应晶体管和高电子迁移率晶体管的氮化镓/氮化镓铝/氮化镓高压晶体管中的表面电荷和陷阱

机译：适用于大功率应用的无结垂直沟道GaN场效应晶体管

机译：先进的氮化铝镓/氮化镓异质结场效应晶体管的处理和表征。

机译：复合体系镓氮化镓GaN-氮化镓锡中的新型氮化物纳米粒子

机译：氮化铟镓上的高频场效应晶体管的建模：金属氧化物半导体电容器1 =沟道模型

机译：砷化镓垂直沟道绝缘栅场效应晶体管。

机译：功率放大器中使用的场效应晶体管由双重异质结构组成，该异质结构由氮化镓制成的沟道层，覆盖层和带隙比氮化镓高的背面势垒层组成

机译：用于设计和制造具有互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的半导体结构的方法，所述互补沟道结绝缘栅场效应晶体管的栅极的功函数接近中间间隙半导体值

机译：氮化镓膜的制造方法及氮化物基异质结场效应晶体管的制造方法