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机译:在300-500摄氏度下升高氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)的氮化镓(GaN)升温等离子体
机译:磷化镓间隙的氨解扫描到纳米晶宽带隙半导体氮化镓GaN
机译:镓极性氮化镓与氮极性GaN的表面和界面状态:薄有机半导体覆盖层的影响
机译:全电动船的推进和电池充电系统,完全由交错式转换器构成,采用相间变压器和氮化镓(GaN)功率FET半导体
机译:用于高频应用的氮化铝镓/氮化镓HEMT中的陷获效应:使用大信号网络分析仪和深层光谱学进行建模和表征。
机译:新型2D结构材料:碳镓氮化物(CC-GaN)和硼-氮化镓(BN-GaN)异质结构—通过密度函数进行材料设计理论
机译:通过直接在连续氢化物气相外延(HVPE)过程中直接形成的多肽中间层(GaN)的自由型氮化镓(GaN)的生长
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。
机译:氮化镓(GaN)复合半导体晶体的制造方法以及氮化镓(GaN)复合半导体晶体的制造方法
机译:清洗复合半导体的方法,清洗含有镓作为组成元素的复合半导体的解决方案,制造复合半导体器件的方法,制造氮化镓基体的方法以及氮化镓基体
机译:GaN(氮化镓)表皮基板,半导体装置以及制造GaN表皮基板和半导体装置的方法
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