偏置电路对功率放大器性能的影响

机译：使用自偏置偏置控制电路的5,8GHz ETC终端的高P {sub}（1dB）和低静态电流SiGe HBT功率放大器MMIC

机译：使用自偏置偏置控制电路的5,8GHz ETC终端的高P {sub}（1dB）和低静态电流SiGe HBT功率放大器MMIC

机译：偏置电路对GaAs HBT功率放大器的接收器频带噪声的影响

机译：采用紧凑型多层集成偏置电路的单独偏置的反平行 - 对“T阳极”混合器二极管的制造和性能，在210GHz下采用紧凑的多层集成偏置电路

机译：单端半导体二极管混频器：一种数学模型，其中包括电路电阻，二极管电容，直流偏置和电路滤波器的影响

机译：偏置应力和温度对InGaZnO TFT和电路的影响

机译：一种智能功率放大器mmIC，采用新的自适应偏置控制电路，用于W-CDma应用

机译：偏置电路不稳定性及其对直流电压的影响双势垒谐振隧穿二极管的电流 - 电压特性

机译：用于改善移动电话中的交叉调制特性的电路，特别是用于检测低噪声放大器的输出功率，从存储器中的表中读取相应的偏置，并优化功率放大器的偏置，以改善功率放大器的偏置和一个下变频器

机译：可重新配置的功率放大器用于移动电话的AB类功率放大器，具有带有偏置电路的CPU，该偏置电路可适应于导频和功率级的增益，从而为修改的压缩点提高级的功率附加效率

机译：带隙参考电路，用于向例如电压传感器提供电压或电流。功率放大器，其电源电路和/或偏置电路具有控制元件和/或偏置元件，所述控制元件和/或偏置元件包括具有高电子迁移率的晶体管