高精度、快速瞬态响应LDO电路设计

刘智; 姜洪雨; 梁希; 葛梅

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高精度、快速瞬态响应LDO电路设计

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文章设计实现了一款高精度、快速瞬态响应LDO电路.该设计采用高阶曲率补偿技术,以提高带隙基准电压的温度特性;采用多级熔丝修调技术,以提高基准电压和基准电流精度;采用调整管栅极寄生电荷泄放技术和负载电流泄放技术,以优化LDO快速瞬态响应特性.这里采用0.6μm Trench SOI CMOS工艺设计、制造.测试结果表明,输出误差小于1％,瞬态响应特性与国外产品相当.

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来源
《空间电子技术》 |2018年第5期|42-45|共4页
作者
刘智; 姜洪雨; 梁希; 葛梅;
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作者单位

西安微电子技术研究所;

西安710065;

西安微电子技术研究所;

西安710065;

西安微电子技术研究所;

西安710065;

西安微电子技术研究所;

西安710065;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类电子设备;半导体集成电路（固体电路）;
关键词
LDO; 带隙基准; 高阶曲率补偿; 快速瞬态响应;

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