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叶华兴; 吴春煌;
中山大学物理学系;
He-Ne激光管; 允许漏率; 检漏;
机译:GaN-on-Si高电子迁移率晶体管具有5μm栅极-漏极间距的出色稳定性,该栅极漏极间距在200 V和200℃的创纪录漏极电压下在截止状态下进行了测试
机译:胃肠道吻合口漏的发病率,死亡率,成本和生存率估算
机译:激光管机械的CAD / CAM生产率
机译:通过锁定用于激光管控制加热的可见性函数的零值来稳定He-NE激光波长
机译:离子通量(剂量率)在10 nm节点FinFET上的源漏扩展离子注入中的作用以及在300 / 450mm平台上的影响
机译:创伤性非导弹穿透鼻前颅底骨折和脑损伤伴脑脊液漏:术中检漏和局部颅底缺损的有效重建程序尤其是在冠状病毒病2019爆发后
机译:内镜HE-NE激光管的温度分布和腔长特性。
机译:sY Farm Enraf环形检漏仪的项目周转率交付项目。
机译:气体示踪剂型检漏仪具有用于测量和指示漏率Q的装置
机译:用于绝缘栅半导体的栅极驱动电路,具有漏极电流的变化率和漏极-源极电压的变化率的组合控制
机译:在混凝土框架中固定涂层允许覆盖率的装置以及在混凝土墙中埋入涂层允许覆盖率的方法
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