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一维结构二氧化锡的电压-电流特性研究

         

摘要

采用易挥发的金属氯化物,通过化学气相沉积法( CVD)在FTO导电玻璃上直接生长一维结构二氧化锡纳米锥阵列,研究一维纳米结构二氧化锡的电压-电流( I-V)特性,探讨结构与性能的本质联系,为高性能的二氧化锡纳米材料太阳能电池的研制提供理论和技术上的支持。

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