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袁海斌(译);
北京航空航天大学自动化科学与电气工程学院;
北京100191;
SiC; 双极结型晶体管; 逆变器;
机译:1200 V / 800 A SiC双极结型晶体管功率模块的PSPICE模型的开发
机译:基极掺杂和载流子寿命对4H-SiC功率双极结型晶体管差分电流增益和温度系数的影响
机译:具有2.9mΩ·cm {sup} 2的非常低的导通电阻的4H-SiC功率双极结型晶体管
机译:具有4.9 MW / cm〜2功率密度处理能力的4H-SiC双极结型晶体管的功耗和高温运行分析
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于多phosph的离子双极结型晶体管
机译:利用双极结型晶体管设计低噪声大功率射频放大器
机译:基于4H-siC的双极结型晶体管的开关特性为200℃
机译:多发射极型双极结型晶体管,双极CMOS DMOS器件以及多发射极型双极结型晶体管和双极CMOS DMOS器件的制造方法
机译:SiC双极结型晶体管的制造方法及其SiC双极结型晶体管
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