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脉冲电场促进黑曲霉生长提高产酶活性

         

摘要

cqvip:为了探讨脉冲电场对黑曲霉生长和糖化酶活性的影响,研究采用响应面法设计脉冲电场工作参数(脉冲强度5~15 kV/cm、脉冲持续时间10~100μs和脉冲数50~99)并对黑曲霉孢子悬液进行处理和培养。结果表明:脉冲强度显著(P<0.05)影响菌丝干质量和产糖化酶能力,当脉冲强度为12.975 kV/cm、脉冲宽度为54μs和脉冲数为66,黑曲霉的菌丝干质量和糖化酶活性分别为28.05 mg和18.01 U/mL,比对照(未采用脉冲处理)提高了68.27%和14.71%;酯酶同工酶分析未显示出PEF对黑曲霉有诱变作用,但PEF处理明显刺激了黑曲霉孢子萌发,使孢子萌发率增加了77.8%~231%。该研究为黑曲霉菌等霉菌生物学性能的提高及其在实际生产中的应用提供理论依据。

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