首页> 中文期刊> 《真空电子技术》 >用于外延生长高温超导薄膜的低损耗衬底

用于外延生长高温超导薄膜的低损耗衬底

         

摘要

已对一种类钙钛矿单晶衬底材料做了研究,它允许外延生长1-2-3超导薄膜,同时具有所需的射频特性:低的介电常数和损耗正切。晶格常数为3.792埃,与1-2-3的a轴晶格匹配在1%以内。铒-钡-铜-氧化物的溅射膜已在(100)LaAlO_3(铝酸镧)衬底上制备成功,该膜在90K时显示陡峭的电阻转变(△T=1K),体超导电性由交流磁化率测量确定,由X-射线衍射和高分辨率扫描电子显微镜证明接近单晶生长。铝酸镧的高频介电特性在几种温度下做了实验研究。低频介电常数测得为15,微波损耗正切是在室温时的6×10^(-4)到4K时的5×10^(-6)范围内。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号