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徐彭寿; 徐世红; 刘先明; 朱警生; 麻茂生; 张裕恒; 许振嘉;
中国科学技术大学国家同步辐射实验室和结构分析中心;
中国科学院半导体所;
碱金属; 界面; 砷化镓; 光电子谱;
机译:GalnAsN / GaAs量子阱异质结构的SiO_2和SiN_x封盖的GaAs(100)表面的性质通过光电子能谱和光致发光研究
机译:通过扫描隧道显微镜,光电子能谱和从头算计算研究了在GaAs(100)和InAs(100)上锡稳定的(1×2)和(1×4)重建
机译:金属/ Al_2O_3 / GaAs(100)金属氧化物半导体结构中表面电势的硬X射线光电子能谱和电特性研究
机译:“高低温”活化过程中GaAs(Cs,O)表面演化的角度依赖性X射线光电子能谱研究
机译:碳纤维增强聚合物复合材料中石墨材料和界面相互作用的X射线光电子能谱研究
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:使用电子回旋谐振或辉光放电N2等离子体来研究GaAs(100)对GaAs(100)的GaN层结晶研究,用于氮化过程
机译:Ni(100)上的硫吸附及其对CO化学吸附的影响。 II。 Ups(紫外光电子能谱)和Xps(X射线光电子能谱)结果
机译:具有矩形截面的100向GaAs光束的100制备方法
机译:在GaAsN势垒层和InGaAsN量子阱中使用Sb的长波长VCSEL有源区
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