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基于MEMS技术U形悬臂梁制作工艺研究及特性模拟

         

摘要

cqvip:针对在〈100〉硅片上采用EPW各向异性腐蚀液制作U形悬臂梁工艺进行研究。因各向异性腐蚀使(111)侧面相交的凸角处出现一些腐蚀速率较高的晶面,使U形悬臂梁凸角掩模下的硅受到侧向腐蚀。对(111)侧面相交的凸角处出现一些腐蚀速率较高的晶面进行掩模补偿,实验制作出300μm×1200μm的U形悬臂梁。在此基础上,对相同尺寸U形悬臂梁和矩形悬臂梁采用ANSYS软件进行特性模拟,给出其应力分布的模拟结果。

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