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【2h】

Data on dopant characteristics and band alignment of CdTe cells with and without a ZnO highly-resistive-transparent buffer layer

机译：含和不含ZnO高阻透明缓冲层的CdTe电池的掺杂特性和能带排列数据

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Photovoltaic enhancement of cadmium telluride (CdTe) thin film solar cells using a 50 nm thick, atomic-layer-deposited zinc oxide (ZnO) buffer film was reported in “Enhancement of the photocurrent and efficiency of CdTe solar cells suppressing the front contact reflection using a highly-resistive ZnO buffer layer” (Kartopu et al., 2019) [1].Data presented here are the dopant profiles of two solar cells prepared side-by-side, one with and one without the ZnO highly resistive transparent (HRT) buffer, which displayed an open-circuit potential (Voc) difference of 25 mV (in favor of the no-buffer device), as well as their simulated device data. The concentration of absorber dopant atoms (arsenic) was measured using the secondary ion mass spectroscopy (SIMS) method, while the density of active dopants was calculated from the capacitance-voltage (CV) measurements. The solar cell simulation data was obtained using the SCAPS software, a one-dimensional solar cell simulation programme. The presented data indicates a small loss (around 20 mV) of Voc for the HRT buffered cells.
机译：在“增强CdTe太阳能电池的光电流和效率以抑制前接触反射的方法中”报道了使用50μnm厚的原子层沉积的氧化锌（ZnO）缓冲膜来增强碲化镉（CdTe）薄膜太阳能电池的光伏性能。一个高电阻的ZnO缓冲层”（Kartopu等人，2019年）[1]。此处提供的数据是两个并排制备的太阳能电池的掺杂分布，其中一个带有和不带有ZnO的高电阻透明（HRT）。 ）缓冲器，其开路电位（Voc）差异为25 mV（有利于无缓冲器器件），以及它们的模拟器件数据。使用二次离子质谱（SIMS）方法测量吸收剂掺杂剂原子（砷）的浓度，同时根据电容电压（CV）测量值计算出活性掺杂剂的密度。太阳能电池模拟数据是使用一维太阳能电池模拟程序SCAPS软件获得的。呈现的数据表明，HRT缓冲细胞的Voc损失很小（约20µmV）。

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