含InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN的外延生长和特性研究

机译：通过插入n〜+ -InGaN电子注入层和p-InGaN / GaN空穴注入层来改善InGaN / GaN MQWs发光二极管的静电放电特性

机译：欧盟〜（3 +）离子掺杂IngaN / GaN量子点和GaN层的比较光学研究通过分子束外延生长

机译：含Si重掺杂GaN过渡层的375 nm紫外InGaN / AIGaN发光二极管的生长模式，内部量子效率和器件性能的研究

机译：Siδ掺杂GaN接触层的InGaN / GaN发光二极管的特性

机译：微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC（0001）衬底上的GaN和AlGaN的生长，掺杂和表征。

机译：含和不含ZnO高阻透明缓冲层的CdTe电池的掺杂特性和能带排列数据

机译：基于InGaN基激光二极管的非故意掺杂GaN夹层厚度设计与背景掺杂水平相匹配

机译：分子束外延生长mg掺杂GaN同质外延层的光学和磁共振研究。

机译：外延生长衬底，GaN基半导体层的制造方法，GaN基半导体层，发光器件的GaN基半导体制造方法和GaN基半导体发光元件

机译：用作横向VMOS晶体管的晶体管结构包括n掺杂的衬底层，p +掺杂的层，外延生长的n掺杂的层，p掺杂的p阱，p +掺杂的袋和多晶硅层

机译：具有未掺杂和非故意掺杂的氮化物过渡层的发光二极管