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一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法

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一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法属于GaN材料外延技术领域，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术，生长的低位错密度非极性GaN材料，外延结构从下向上依次为:r面蓝宝石衬底，低温GaN成核层；高压、高V/III比(V族与III族源摩尔流量比)生长条件生长的高温三维GaN层；第一次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层；InGaN插入层；第二次低压、低V/III比生长条件生长的高温二维GaN层。本发明的特点是在二维GaN层中插入InGaN插入层，其能够缓解应力，并且阻挡了部分蓝宝石衬底与GaN失配产生的穿透位错的传递。本发明改善了现有技术的不足，能够减小非极性GaN材料位错密度，改善材料表面形貌，提高外延片的质量。

著录项

公开/公告号CN110429019B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-19

原文格式PDF
申请/专利权人北京工业大学;
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申请/专利号CN201910548899.3
发明设计人韩军;崔博垚;邢艳辉;赵佳豪;
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申请日2019-06-24
分类号H01L21/02(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/455(20060101);C23C16/52(20060101);
代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;
代理人刘萍
地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号
入库时间 2022-08-23 12:49:39

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