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首页> 美国卫生研究院文献>Sensors (Basel Switzerland) >Enhancement of Withstand Voltage in Silicon Strain Gauges Using a Thin Alkali-Free Glass
【2h】

Enhancement of Withstand Voltage in Silicon Strain Gauges Using a Thin Alkali-Free Glass

机译：使用薄的无碱玻璃提高硅应变片的耐压

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摘要

We present a cost-effective approach to produce silicon strain gauges that can withstand very high voltage without using any complex package design and without sacrificing any sensor performance. This is achieved by a special silicon strain gauge structure created on an alkali-free glass substrate that has a high breakdown voltage. A half-bridge silicon strain gauge is designed, fabricated, and then tested to measure its output characteristics. The device has a glass layer that is only 25–55 µm thick; it shows it is able to withstand a voltage of over 2000 V while maintaining a high degree of linearity with correlation coefficients higher than 0.9990 and an average sensitivity of 104.13. Due to their unique electrical properties, silicon strain gauges-on-glass chips hold much promise for use in advanced force and pressure sensors.
机译：我们提出了一种经济有效的方法来生产可承受非常高电压的硅应变计，而无需使用任何复杂的封装设计，也不会牺牲任何传感器性能。这是通过在具有高击穿电压的无碱玻璃基板上创建的特殊硅应变计结构来实现的。设计，制造半桥硅应变仪，然后对其进行测试以测量其输出特性。该设备的玻璃层厚度仅为25-55 µm。它表明它能够承受2000 V以上的电压，同时保持高度的线性度，相关系数高于0.9990，平均灵敏度为104.13。由于其独特的电气性能，玻璃上硅应变计芯片在先进的力和压力传感器中具有广阔的应用前景。

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