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Low-voltage, high-performance organic field-effect transistors with an ultra-thin TiO2 layer as gate insulator

机译：具有超薄TiO2层作为栅极绝缘体的低压，高性能有机场效应晶体管

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We report on our latest improvements in organic field-effect transistors (OFETs) using ultra-thin anodized gate insulators. Anodization of titanium (Ti) is an extremely cheap and simple technique to obtain high-quality, very thin (similar to 75 nm), pinhole-free and robust gate insulators for OFETs. The anodized insulators have been tested in transistors using pentacene and poly(triarylamine) (PTAA) as active layers. The fabricated devices display low-threshold, normally "off" OFETs with negligible hysteresis, good carrier mobility, high gate capacitance, and exceptionally low inverse subthreshold. slope. Device performance is improved via chemical modification of TiO2 with an octadecyltrichlorosilane (OTS) self-assembled monolayer (SAM). As the result of this combination of favorable properties, we have demonstrated OFETs that can be operated with voltages well below 1 V.
机译：我们报告了我们使用超薄阳极氧化栅绝缘体对有机场效应晶体管（OFET）的最新改进。钛（Ti）的阳极氧化是一种非常便宜且简单的技术，可用于获得用于OFET的高质量，极薄（类似于75 nm），无针孔且坚固的栅极绝缘体。阳极氧化绝缘体已在使用并五苯和聚三芳基胺（PTAA）作为有源层的晶体管中进行了测试。所制造的器件显示出低阈值，通常为“关闭”的OFET，具有可忽略的滞后，良好的载流子迁移率，高栅极电容以及极低的反亚阈值。坡。通过使用十八烷基三氯硅烷（OTS）自组装单层（SAM）对TiO2进行化学改性，可以改善设备性能。由于这些良好性能的组合，我们证明了可以在低于1 V的电压下工作的OFET。

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