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【24h】

Ultra-broadband terahertz time-domain ellipsometric spectroscopy utilizing GaP and GaSe emitters and an epitaxial layer transferred photoconductive detector

机译：利用GaP和GaSe发射器以及外延层转移光电导检测器的超宽带太赫兹时域椭偏光谱

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We present a reflection-type ultra-broadband terahertz (THz) time-domain spectroscopic ellipsometry system covering the frequency range of 0.5–30 THz. GaP (110) and z-cut GaSe crystals are used as emitters to generate the THz and mid-infrared pulses, respectively, and a photoconductive antenna switch using a low-temperature grown GaAs epitaxial layer transferred on Si substrate was used as a detector. By changing the emitter between the GaP and GaSe crystals, the measurable frequency range can be easily switched from the 0.5–7.8 THz range to the 7.8–30 THz range without additional optical alignment. We demonstrated the measurement of the dielectric function in a p-type InAs wafer and the optical conductivity of an indium tin oxide (ITO) thin film. The obtained carrier density and the mobility of the ITO thin film show good agreement with that obtained by the Hall measurement.
机译：我们提出了一种反射型超宽带太赫兹（THz）时域光谱椭偏仪系统，其覆盖的频率范围为0.5–30 THz。 GaP（110）和z-cut GaSe晶体分别用作发射器以产生THz和中红外脉冲，并使用在硅衬底上转移的低温生长的GaAs外延层的光电导天线开关作为检测器。通过在GaP和GaSe晶体之间改变发射极，可以轻松地将可测量的频率范围从0.5–7.8 THz范围切换到7.8–30 THz范围，而无需进行额外的光学对准。我们展示了p型InAs晶片中介电功能的测量以及铟锡氧化物（ITO）薄膜的光导率。所获得的ITO薄膜的载流子密度和迁移率与通过霍尔测量获得的载流子密度和迁移率显示出良好的一致性。

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  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2014年第5期|1-4|共4页
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  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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