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【24h】

Effect of Recombination-Stimulated Defect Formation on Photovoltaic Conversion in Gallium-Arsenide Photocells at Superhigh Irradiance Intensities

机译：重组刺激的缺陷形成对砷化镓光电池在超高辐照强度下光伏转换的影响

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A general theory of deep impurity level recombination considering recombination-stimulated formation of vacancies and defect-impurity complexes of the type vacancy+charged impurity is developed. It is shown that in this model the recombination rate decreases with the rise of excitation intensity and its subsequent increase accompanied by the immediate recombination through a vacancy level is possible. Based on this model, the temperature dependence of short-circuit currents is explained under conditions of intensive irradiance for gallium-arsenide photoconverters.
机译：提出了考虑空位+带电杂质的空位和缺陷-杂质配合物的复合刺激形成的深杂质水平复合的一般理论。结果表明，在该模型中，重组率随着激发强度的增加而降低，并且随后的升高伴随着空位水平的立即重组是可能的。基于该模型，解释了砷化镓光电转换器在强辐射条件下短路电流的温度依赖性。

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