机译:几何形状和后退火对磁控溅射制备的AlN薄膜的表面声波特性的影响
School of Electrical Engineering, University of Ulsan, San 29, Mugeodong, Namgu, Ulsan 680-749, South Korea;
School of Electrical Engineering, University of Ulsan, San 29, Mugeodong, Namgu, Ulsan 680-749, South Korea;
AlN films; SAW resonator; geometry; post-annealing;
机译:后退火对磁控溅射制备的基于ZnO薄膜的声表面波器件的影响
机译:射频磁控溅射制备表面声波应用的AlN薄膜
机译:直流(DC)-反应性磁控溅射制备的氮化铝(AlN)薄膜的表面金属态:非相干光的光谱分析
机译:射频磁控溅射表面声波沉积c轴取向AlN膜
机译:射频反应磁控溅射在低温下沉积在硅上的压电氮化铝薄膜的声波器件特性
机译:SC0.09Al0.91N和SC0.18A10.82N的外延生长通过磁控溅射对表面声波应用的磁控溅射薄膜
机译:rf反应磁控溅射在低温下沉积在Si上的压电Aln薄膜的表征