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退火温度对磁控溅射制备的β-FeSi2薄膜的影响

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采用磁控溅射的方法,在高真空条件下,沉积金属Fe到Si(100)衬底上,然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理,直接形成了β-FeSi2薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)对样品进行了晶体结构分析,利用卢瑟福背散射(RBS)对Fe-Si化合物的形成过程中的Fe原子和Si原子的互扩散机理进行了研究,利用扫描电镜(SEM)对样品表面的显微结构进行表征,结果表明,在900℃条件下退火能够得到质量很好的β-FeSi2薄膜,超过这一温度β相将开始向α相转化,到1000℃,β-FeSi2全部转化为α-FeS2.

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来源
《第六届中国功能材料及其应用学术会议》|2007年|373-375|共3页
会议地点武汉
作者
梁艳; 谢泉; 曾武贤; 张晋敏; 杨吟野; 肖清泉; 任雪勇;
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作者单位

中国仪器仪表学会;

中国物理学会;

中国光学学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
铁硅化物薄膜; 磁控溅射; 退火温度; β-FeSi2薄膜; SEM; 晶体结构;

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