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Self-affinity study of nanostructured porous silicon-crystalline silicon interfaces

机译：纳米结构多孔硅-晶体硅界面的自亲和性研究

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摘要

Self-affinity was used to analyze the roughness at the porous silicon (PS)-crystalline Si (cSi) interfaces fabricated under different conditions. Using the variable bandwidth method, the self-affinity behavior was, qualitatively and quantitatively, analyzed from the cross-section micrographs of the PS samples obtained by field emission scanning electron microscope. The results show that correlation length is related with the average pore width. Roughness exponent is found to be correlated with the interface roughness. In addition, similar experimental roughness exponents were obtained for several interfaces grown by different methods, indicating the intrinsic fractal nature of the PS-cSi interfaces. The results were confirmed through the self-affinity analysis done on the atomic force microscopy profiles.
机译：自亲和性用于分析在不同条件下制造的多孔硅（PS）-晶体硅（cSi）界面的粗糙度。使用可变带宽方法，从场发射扫描电子显微镜获得的PS样品的横截面显微照片定性和定量地分析了自亲和行为。结果表明，相关长度与平均孔径有关。发现粗糙度指数与界面粗糙度相关。此外，通过不同方法生长的几个界面也获得了相似的实验粗糙度指数，表明PS-cSi界面的固有分形性质。通过对原子力显微镜概况进行的自亲和力分析，证实了该结果。

著录项

  • 来源
    《Applied Surface Science》 |2009年第3期|645-649|共5页
  • 作者

    J. Escorcia-Garcia; R. Cruz-Silva; V. Agarwal;

  • 作者单位

    Centro de Investigacion en Ingenieria y Ciencias Aplicadas, UAEM, Av. Universidad 1001, Col. Chamilpa CP 62210, Cuernavaca, Morelos, Mexico;

    Centro de Investigacion en Ingenieria y Ciencias Aplicadas, UAEM, Av. Universidad 1001, Col. Chamilpa CP 62210, Cuernavaca, Morelos, Mexico;

    Centro de Investigacion en Ingenieria y Ciencias Aplicadas, UAEM, Av. Universidad 1001, Col. Chamilpa CP 62210, Cuernavaca, Morelos, Mexico;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    porous silicon; interfaces; self-affinity; fractals;

    机译：多孔硅接口;自我亲和力分形;

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