机译:掺入各种含量的Pt纳米粒子的可直接图案化ZnO薄膜的光学和电学性质研究
Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea;
Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea;
Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea;
Sam Young Fil-Tech Co., Ltd., Seoul 153-768, Republic of Korea;
Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, Seoul 120-749, Republic of Korea;
ZnO film; Pt nanoparticles; photochemical solution deposition; direct patterning;
机译:掺石墨烯的可直接图案化ZnO薄膜的电性能研究
机译:退火气氛对掺石墨烯的可直接图案化ZnO薄膜电学性能的影响
机译:含Pt纳米粒子的可直接图案化SnO_2薄膜在不同退火温度下的电学和光学性质
机译:电活性中心含量与重掺杂ZnO薄膜的生长温度依赖性:光学,结构和运输性能之间的相关性
机译:CdTe,CdS,ITO和ZnO透明薄膜及其结的光学和电子特性。
机译:射频磁控溅射制备(MgAl)共掺杂ZnO薄膜的光电性能研究与研究
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响