In掺杂浓度对ZnO薄膜结构、光学及电学特性的影响

王冬1

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In掺杂浓度对ZnO薄膜结构、光学及电学特性的影响

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借助射频磁控溅射法在石英衬底上制备了In掺杂ZnO薄膜(ZnO:In),研究了In掺杂浓度对薄膜结构、光学及电学性能的影响。结果表明:所有ZnO薄膜均为六方纤锌矿结构,都有较高的光学透过率(高于85%);In掺杂会降低薄膜生长率和结晶质量;随着In掺杂浓度的上升,ZnO薄膜的载流子浓度不断提高,禁带宽度不断增加。

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来源
《冶金与材料》 |2019年第1期|P.49-49|共2页
作者
王冬1;
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作者单位

[1]重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆401331;

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正文语种 CHI
中图分类 TQ132.41;
关键词
ZnO:In薄膜; In含量; 结晶质量; BM效应;

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