• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Applied Surface Science >Thermal Annealing Effects On A Compositionally Graded Sige Layer Fabricated By Oxidizing A Strained Sige Layer
【24h】

Thermal Annealing Effects On A Compositionally Graded Sige Layer Fabricated By Oxidizing A Strained Sige Layer

机译：对通过氧化应变Sige层制造的成分渐变Sige层的热退火效应

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Thermal annealing effects on a thin compositionally graded SiGe buffer layer on silicon substrate fabricated by oxidizing a strained SiGe layer are investigated with X-ray diffraction, ultraviolet Raman spectra and atomic force microscopy. Interestingly, we found that the surface roughness and the threading dislocation densities are kept low during the whole annealing processes, while the Ge concentration at the oxidizing interface decreases exponentially with annealing time and the strain in the layer is only relaxed about 66% even at 1000 ℃ for 180 min. We realized that the strain relaxation of such a compositionally graded SiGe buffer layer is dominated by Si-Ge intermixing, rather than generation and propagation of misfit dislocations or surface undulation.
机译：利用X射线衍射，紫外拉曼光谱和原子力显微镜研究了通过氧化应变的SiGe层而在硅衬底上组成渐变的SiGe缓冲层上进行的热退火效应。有趣的是，我们发现在整个退火过程中，表面粗糙度和螺纹位错密度保持较低，而氧化界面处的Ge浓度随退火时间呈指数下降，即使在1000℃下，层中的应变也仅松弛约66％。 ℃180分钟。我们意识到，这种成分渐变的SiGe缓冲层的应变松弛主要是Si-Ge混合，而不是失配位错或表面起伏的产生和传播。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号