...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Applied Surface Science >Control Of High-k/germanium Interface Properties Through Selection Of High-k Materials And Suppression Of Geo Volatilization
【24h】

Control Of High-k/germanium Interface Properties Through Selection Of High-k Materials And Suppression Of Geo Volatilization

机译：通过选择高k材料和抑制地球挥发来控制高k /锗界面特性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Two approaches to control high-k/Ge interface qualities were investigated. The first approach was using high-k materials that are intimate with Ge. These Ge-intimate high-k materials should have moderate reactivity with Ge to form an amorphized interface that will reduce the interface defects and will suppress the GeO desorption at the interface. The second approach was modifying the annealing processes by using a cap layer to block GeO out-diffusion. We found that Si works as the cap layer very efficiently. By combining those two approaches, we achieved fairly good high-k/Ge metal-insulator-semiconductor (MIS) characteristics with LaYO_3 as the Ge-intimate high-k material, and a NiSi_x electrode as the cap layer. These results provide us an important guide for controlling the high-k/Ge interface properties.
机译：研究了两种控制高k / Ge界面质量的方法。第一种方法是使用与Ge密切相关的高k材料。这些与Ge亲密的高k材料应与Ge具有适度的反应性，以形成非晶态界面，从而减少界面缺陷并抑制GeO在界面处的解吸。第二种方法是通过使用盖层来阻止GeO外扩散来修改退火工艺。我们发现硅非常有效地用作覆盖层。通过结合这两种方法，我们获得了相当好的高k / Ge金属绝缘体半导体（MIS）特性，其中LaYO_3作为Ge紧密高k材料，而NiSi_x电极作为覆盖层。这些结果为我们提供了控制高k / Ge界面特性的重要指南。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号