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Selective growth of stacked InAs quantum dots by using the templates formed by the Nano-Jet Probe

机译：通过使用纳米喷射探针形成的模板，选择性生长堆叠的InAs量子点

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We have demonstrated the selective area growth of stacked self-assembled InAs quantum dot (QD) arrays in the desired regions on a substrate and confirmed the photoluminescence (PL) emission exhibited by them at room temperature. These InAs QDs are fabricated by the use of a specially designed atomic force microscope cantilever referred to as the Nano-Jet Probe (NJP). By using the NJP, two-dimensional arrays with ordered In nano-dots are fabricated in the desired square regions on a GaAs substrate and directly converted into InAs QD arrays through the subsequent annealing by the irradiation of As flux. By using the converted QD arrays as strain templates, self-organized InAs QDs are stacked. These stacked QDs exhibit the PL emission peak at a wavelength of 1.02 μm.
机译：我们已经证明了在基板上所需区域中堆叠的自组装InAs量子点（QD）阵列的选择性区域生长，并证实了它们在室温下表现出的光致发光（PL）发射。这些InAs量子点是通过使用专门设计的原子力显微镜悬臂（称为纳米喷射探针（NJP））制成的。通过使用NJP，在GaAs衬底上的期望正方形区域中制造具有有序的In纳米点的二维阵列，并通过随后的As通量的辐射退火将其直接转换为InAs QD阵列。通过将转换后的QD阵列用作应变模板，可以堆叠自组织的InAs QD。这些堆叠的QD在1.02μm的波长处显示PL发射峰。

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