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【24h】

Structural properties of GaAs nanostructures formed by a supply of intense As_4 flux in droplet epitaxy

机译：通过在液滴外延中提供大量的As_4通量形成的GaAs纳米结构的结构特性

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We investigated detailed structural properties of GaAs nanostructures formed by a supply of intense As_4 flux to Ga droplets. Scanning electron microscopy (SEM) and cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) revealed that whisker-like nanostructures had formed on the truncated cone-shaped bases after crystallization. Moreover, electron energy loss spectroscopy in scanning transmission electron microscopy (STEM-EELS) revealed that elemental Ga atoms remained inside the nanostructures while outside, some had crystallized into GaAs. These findings suggest that crystallization started at the edges of the droplets and the GaAs grew upward along the periphery of the droplets until the droplets were completely covered with crystallized GaAs.
机译：我们研究了通过向Ga小滴供应大量As_4助焊剂形成的GaAs纳米结构的详细结构特性。扫描电子显微镜（SEM）和横截面透射电子显微镜（TEM）显示，结晶后，截头圆锥形基体上形成了晶须状纳米结构。此外，扫描透射电子显微镜（STEM-EELS）中的电子能量损失谱表明，元素Ga原子保留在纳米结构内部，而在外部，有些已经结晶成GaAs。这些发现表明，结晶开始于液滴的边缘，并且GaAs沿着液滴的外围向上生长，直到液滴完全被结晶的GaAs覆盖。

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