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ArF-excimer laser induced chemical vapour deposition of amorphous hydrogenated SiGeC films

机译：ArF准分子激光诱导非晶氢化SiGeC薄膜的化学气相沉积

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The growing interest in the development of silicon germanium carbon (SiGeC) based devices for micro- and optoelectronics provoked an increasing attention in alternative low thermal budget techniques capable to produce such alloys on large areas as well as on small selected regions. Excimer laser-induced chemical vapour deposition (LCVD) in parallel configuration is a "soft" alternative deposition technique that has already proved to be a feasible method for the production of various thin film semiconductors. This contribution will investigate the possibility to exploit the technique for producing the ternary SiGeC alloy and demonstrate that coatings with uniform composition, structure and thickness can be deposited at low substrate temperature. The samples have been extensively analysed by different techniques for identifying the most important "experimental parameters determining the growth rate, and the homogeneity in stoichiometry and structure.
机译：对用于微电子和光电子学的基于硅锗碳（SiGeC）的器件的兴趣与日俱增，引起了人们对替代低热预算技术的关注，这些技术能够在大面积以及选定的小区域生产此类合金。平行配置的准分子激光诱导化学气相沉积（LCVD）是一种“软”替代沉积技术，已被证明是生产各种薄膜半导体的可行方法。这一贡献将研究开发生产三元SiGeC合金的技术的可能性，并证明可以在较低的基板温度下沉积具有均匀成分，结构和厚度的涂层。已通过不同的技术对样品进行了广泛的分析，以确定最重要的“实验参数”，这些参数确定了生长速率以及化学计量和结构的均一性。

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