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首页> 外文期刊>Sensors and Actuators, A. Physical >Inductively-coupled plasma-enhanced chemical vapour deposition of hydrogenated amorphous silicon carbide thin films for MEMS
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Inductively-coupled plasma-enhanced chemical vapour deposition of hydrogenated amorphous silicon carbide thin films for MEMS

机译：用于MEMS的氢化非晶碳化硅薄膜的电感耦合等离子体增强化学气相沉积

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In this study, the impact of various deposition parameters such as the reactive gas flow ratio, plasma power, substrate temperature and chamber back pressure of ICP-CVD deposited a-SiC:H thin films is investigated and the influence on important MEMS-related properties like residual stress, Young's modulus, hardness, mass density and refractive index is evaluated. Basically, tailoring of the as-deposited a-SiC:H characteristics is possible to a great extent with residual stress values ranging from 16 up to -808 MPa, Young's modulus values between 36 and 209 GPa or deposition of layers with hardness values ranging from 5.3 to 27.2 GPa is feasible. Especially the mechanical parameters are strongly linked to both the Si-C bond density and the amount of incorporated hydrogen obtained from Fourier transform infrared spectroscopy analyses. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：在这项研究中，研究了各种沉积参数的影响，例如反应气体流量比，等离子功率，衬底温度和ICP-CVD沉积a-SiC：H薄膜的腔室背压，以及它们对与MEMS相关的重要性能的影响如残余应力，评估杨氏模量，硬度，质量密度和折射率。基本上，可以在16到-808 MPa的残余应力值，36到209 GPa的杨氏模量值或硬度值范围为5.3至27.2 GPa是可行的。尤其是，机械参数与Si-C键密度和从傅里叶变换红外光谱分析获得的氢的掺入量密切相关。 （C）2016 Elsevier B.V.保留所有权利。

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