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Strain effects in device processing of silicon-on-insulator materials

机译：绝缘体上硅材料的器件加工中的应变效应

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Reporting on residual strain in silicon-on-insulator (SOI) materials we show that multi-insulating layer structures, in which silicon dioxide and silicon nitride are mixed with appropriate thicknesses, can lead to a new family of strain-free materials. This reduces only the original strain and, of course, does not significantly modify any process-induced effect. However, after proper annealing, this should help coming back to a better relaxation level.
机译：关于绝缘体上硅（SOI）材料中的残余应变的报告，我们表明，多层绝缘层结构（其中二氧化硅和氮化硅以适当的厚度混合）可以导致新的无应变材料系列。这仅减小了原始应变，并且当然不会显着改变任何过程引起的影响。但是，经过适当的退火处理后，这应该有助于恢复到更好的松弛水平。

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