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Comparison of Single-Step and Two-Step EBL T-Gates Fabrication Techniques for InP-Based HEMT

机译：基于InP的HEMT单步和两步EBL T栅极制造技术的比较

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T-Gate fabrication processes for InP-based High electron mobility transistors (HEMTs) are described using PMMA/Al/UVIII. The single-step and two-step Electron beam lithography (EBL) methods are proposed contrastively without dielectric support layer. The optimal gate-foot length is 196nm for 50nm geometry path by single-step EBL technique. Since the gate-foot and gate-head are defined independently, the two-step EBL process minimizes forward scattering and enables smaller gate-foot length, which improves to be 141nm for 50nm geometry path and also 88nm for 30nm geometry path. Both EBL methods have been incorporated into InP-based HEMTs fabrication. With the gate-foot length decreases from 196nm to 141nm, the current-gain cutoff frequency (fT) is improved from 125GHz to 164GHz, and also the maximum oscillation frequency (fmax) increases from 305GHz to 375GHz.
机译：使用PMMA / Al / UVIII描述了基于InP的高电子迁移率晶体管（HEMT）的T门制造工艺。对比地提出了在没有介电支撑层的情况下的单步和两步电子束光刻（EBL）方法。通过单步EBL技术，对于50nm的几何路径，最佳的栅脚长度为196nm。由于栅脚和栅头是独立定义的，因此两步EBL工艺可最大程度地减小前向散射，并实现较小的栅脚长度，这对于50nm几何路径可提高到141nm，对于30nm几何路径也提高到88nm。两种EBL方法都已合并到基于InP的HEMT中。随着栅脚长度从196nm减小到141nm，电流增益截止频率（fT）从125GHz提高到164GHz，最大振荡频率（fmax）从305GHz增加到375GHz。

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