The g-Boson Degree of Freedom and Microscopic Description of Backbending Phenomenon

Sang Jianping; Zhang Zhanjun; Liu Yong; Shao Jianjun

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The g-Boson Degree of Freedom and Microscopic Description of Backbending Phenomenon

机译：g-玻色子自由度和后弯现象的微观描述

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Based on the generalized boson-fermion expansion technique, a microscopic sdg IBM plus two-quasiparticle approach is proposed to investigate the high spin states. The effect of the g-boson on the back-bending phenomenon and the states below 2 MeV are discussed for the Ba isotopes.

机译：基于广义玻色子-费米子展开技术，提出了一种微观的sdg IBM加两个拟粒子方法来研究高自旋态。讨论了玻色子对后弯现象的影响以及Ba同位素在2 MeV以下的状态。

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来源
《Chinese Journal of Nuclear Physics》 |1996年第3期|p.156-159|共4页
作者
Sang Jianping; Zhang Zhanjun; Liu Yong; Shao Jianjun;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类原子核物理学、高能物理学;
关键词
the sdg IBM+2q. p.; microscopic investigation; Ba isotopes;

机译：sdg IBM + 2q。 p .;显微调查;钡同位素;

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