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Magnetic property and interface structure of Ta/NiO/NiFe/Ta

机译：Ta / NiO / NiFe / Ta的磁性和界面结构

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Ta/NiO/NiFe/Ta multilayers, utilizing Ta as buffer layer, were prepared by rf reactive and dc magnetron sputtering. The exchange coupling field between NiO and NiFe reached a maximum value of 9.6 × 10~3 A/m at a NiO Film thickness of 50 nm. The composition and chemical states At interface region of Ta/NiO/Ta were studied by using the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and peak decomp- Osition technique. The results show that there is an "inter- Mixing layer" at the Ta/NiO (and NiO/Ta) interface due to a Thermodynamically favorable reaction 2Ta + 5NiO = 5Ni + Ta_2O_5. This interface reaction has a great effect on exchange Coupling. The thickness of Ni+NiO estimated by XPS depth- Profiles is about 8-10 nm.
机译：通过射频反应和直流磁控溅射制备了以Ta为缓冲层的Ta / NiO / NiFe / Ta多层膜。 NiO膜厚为50 nm时，NiO和NiFe之间的交换耦合场达到最大值9.6×10〜3 A / m。使用X射线光电子能谱（XPS）和峰分解技术研究了Ta / NiO / Ta界面区域的组成和化学状态。结果表明，由于热力学上有利的反应2Ta + 5NiO = 5Ni + Ta_2O_5，在Ta / NiO（和NiO / Ta）界面处存在“混合层”。这种界面反应对交换耦合有很大的影响。通过XPS深度分布图估计的Ni + NiO厚度约为8-10 nm。

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