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A High-Precision Compensated CMOS Bandgap Voltage Reference Without Resistors

机译：不含电阻的高精度补偿CMOS带隙基准电压源

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A high-precision compensated CMOS bandgap reference without resistors, which is fabricated in 0.5- $muhbox{m}$ CMOS technology, is presented in this brief. The circuit uses ratioed transistors together with the inverse-function technique to produce a first-order temperature-insensitive voltage reference. More importantly, a higher-order curvature correction method called $V_{BE}$ linearization is presented to directly compensate for the thermal nonlinearity of the base–emitter voltage. The power consumption of the proposed reference is 0.648 mW at 3.6 V. A temperature coefficient of 11.8 $hbox{ppm}/^{circ}hbox{C}$ and power supply rejection ratio (PSRR) of more than 31 dB at low frequencies are easily achieved.
机译：本简介介绍了一种采用电阻器0.5-muhbox {m} $ CMOS技术制造的，不带电阻的高精度补偿CMOS带隙基准。该电路将比例晶体管与反函数技术一起使用，以产生一阶温度不敏感电压基准。更重要的是，提出了一种称为$ V_ {BE} $线性化的高阶曲率校正方法，以直接补偿基极-发射极电压的热非线性。拟议参考的功耗在3.6 V时为0.648 mW。低频时的温度系数为11.8 $ hbox {ppm} / ^ {circ} hbox {C} $，低频时的电源抑制比（PSRR）大于31 dB很容易实现。

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