一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源

陈迪平; 吴旭; 黄嵩人; 季惠才; 王镇道

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一种新型高精度低压CMOS带隙基准电压源

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为消除运算放大器失调电压对带隙电压精度的影响,采用NPN型三极管产生ΔVbe,并设计全新的反馈环路结构产生了低压带隙电压.电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现,该新型低压带隙基准源设计输出电压为0.5V,温度系数为8ppm/℃,电源抑制比达到-130dB,并成功运用于16位高速ADC芯片中.

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来源
《湖南大学学报：自然科学版》 |2012年第8期|48-51|共4页
作者
陈迪平; 吴旭; 黄嵩人; 季惠才; 王镇道;
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作者单位

湖南大学物理与微电子科学学院;

中国电子科技集团公司第58研究所;

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正文语种 chi
中图分类设计;
关键词
带隙基准电压源; 低压; 正温度系数; 负温度系数; 电源抑制比;

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