一种高精度CMOS带隙基准电压源设计

沈菊; 宋志棠; 刘波; 封松林; 朱加兵

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一种高精度CMOS带隙基准电压源设计

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介绍了带隙基准电压源的基本原理,设计了一种高精度带隙基准电压源电路。该电路采用中芯国际半导体制造公司0.18μm CMOS工艺。Hspice仿真表明,基准输出电压在温度为-10～120℃时,温度系数为6.3×10-6/℃,在电源电压为3.0～3.6 V内,电源抑制比为69 dB。该电压基准在相变存储器芯片电路中,用于运放偏置和读出/写驱动电路中所需的高精度电流源电路。

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来源
《半导体技术》 |2007年第9期|792-795|共4页
作者
沈菊; 宋志棠; 刘波; 封松林; 朱加兵;
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作者单位

中国科学院上海微系统与信息技术研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
带隙; 电压源; 温度系数; 电源抑制比; 互补金属氧化物半导体;

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