Failure analysis of high-density CMOS SRAMs: using realistic defect modeling and I/sub DDQ/ testing

Naik S.; Agricola F.

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Failure analysis of high-density CMOS SRAMs: using realistic defect modeling and I/sub DDQ/ testing

机译：高密度CMOS SRAM的故障分析：使用实际的缺陷建模和I / sub DDQ /测试

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A rapid failure analysis method for high-density CMOS static RAMs (SRAMs) that uses realistic defect modeling and the results of functional and I/sub DDQ/ testing is presented. The key to the method is the development of a defect-to-signature vocabulary through inductive fault analysis. Results indicate that the method can efficiently debug the multimegabit-memory manufacturing process.

机译：提出了一种针对高密度CMOS静态RAM（SRAM）的快速故障分析方法，该方法使用了实际的缺陷建模以及功能和I / sub DDQ /测试的结果。该方法的关键是通过归纳式故障分析来开发从缺陷到签名的词汇表。结果表明该方法可以有效地调试多兆位存储器的制造过程。

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来源
《IEEE Design & Test of Computers Magazine》 |1993年第2期|P.13-23|共11页
作者
Naik S.; Agricola F.;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类计算技术、计算机技术;
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