...
机译:偏角为1°的4H-SiC Si面同质外延层生长过程中3C夹杂物形成的抑制
机译:偏角为1°的4H-SiC Si面同质外延层生长过程中3C夹杂物形成的抑制
机译:倾斜角为1度的4H-SiC C面外延层的同质外延生长和堆垛层错研究
机译:低温同质外延生长产生的p型4H-SiC欧姆接触形成重掺杂铝外延层
机译:DLTS研究生长速率和C / Si比对4H-SiC同质外延层中点和扩展缺陷形成的影响
机译:研究4H-碳化硅衬底和同质外延层的生长机理和缺陷来源。
机译:1°偏角的4H-SiC硅面同质外延层生长过程中3C夹杂物形成的抑制
机译:在具有1°偏角的4H-siC si面同质外延层生长期间抑制3C-夹杂物形成