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外延层的生长设备和外延层生长过程中的缺陷检测方法

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本发明公开了一种外延层的生长设备和外延层生长过程中的缺陷检测方法，属于半导体技术领域。该生长设备包括反应腔室和检测装置，检测装置包括光源模块，用于提供照射到生长中的外延层上的紫外光；图像获取模块，用于在至少一个生长阶段结束时获取紫外光照射在外延层上所产生的待测图像；处理模块，用于根据待测图像的灰度判断生长至生长阶段结束时的外延层是否存在缺陷，通过获取当前生长阶段紫外线照射在外延层上所产生的待测图像，再根据待测图像的灰度判断外延层是否存在缺陷，可以在外延层生长出现缺陷时及时反馈外延层生长过程中形成的缺陷，便于操作人员及时对外延层的生长做出调整，有利于减少外延层的内部缺陷，提高外延片的良率。

著录项

公开/公告号CN108456864B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-07

原文格式PDF
申请/专利权人华灿光电(浙江)有限公司;
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申请/专利号CN201711463957.X
发明设计人向光胜;叶青贤;喻海波;蔡云聪;
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申请日2017-12-28
分类号C23C14/52(20060101);C23C14/54(20060101);C23C16/52(20060101);C30B23/00(20060101);C30B25/16(20060101);
代理机构11138 北京三高永信知识产权代理有限责任公司;
代理人徐立
地址 322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇徐丰村(浙江四达工具有限公司内)
入库时间 2022-08-23 11:04:32

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-07

授权

授权
2018-09-21

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/52 申请日:20171228

实质审查的生效
2018-08-28

公开

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1. 外延层的生长设备和外延层生长过程中的缺陷检测方法 [P] . 中国专利： CN108456864B . 2020.07.07
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