• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Plasma and Fusion Research >Effects of Gas Velocity on Deposition Rate and Amount of Cluster Incorporation into a-Si:H Films Fabricated by SiH4 Plasma Chemical Vapor Deposition
【24h】

Effects of Gas Velocity on Deposition Rate and Amount of Cluster Incorporation into a-Si:H Films Fabricated by SiH4 Plasma Chemical Vapor Deposition

机译：气体流速对SiH4等离子体化学气相沉积法制备的a-Si：H薄膜沉积速率和团簇掺入量的影响

获取原文
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

To deposit stable a-Si:H films at a high deposition rate ( DR ), we have studied time evolution of DR and amount of cluster incorporation ( R ) into films as a parameter of gas velocity, in the downstream region of a multi-hollow discharge plasma chemical vapor deposition reactor; because a-Si:H films containing less cluster incorporation show high stability. For a low gas velocity of 0.18 m/s, clusters are trapped between the multi-hollow electrode and the substrate and the trapped clusters absorb clusters and such absorption suppresses the cluster incorporation into films. By utilizing this phenomenon, we have realized a quite low R = 1.3 at a high DR = 0.06 nm/s.
机译：为了以高沉积速率（DR）沉积稳定的a-Si：H膜，我们研究了DR的时间演变和在气体的下游区域中作为气体速度参数的膜中团簇结合量（R）作为气体速度的参数。中空放电等离子体化学气相沉积反应器;因为团簇结合较少的a-Si：H膜显示出高稳定性。对于0.18m / s的低气体速度，团簇被捕获在多空心电极和基板之间，并且被捕获的团簇吸收团簇，并且这种吸收抑制了团簇结合到膜中。通过利用这种现象，我们已经在高DR = 0.06 nm / s的情况下实现了非常低的R = 1.3。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号