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【24h】

Tunnable rectifying performance of in-plane metal–semiconductor junctions based on passivated zigzag phosphorene nanoribbons

机译：钝化之字形磷纳米带的面内金属-半导体结的可调整流性能

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Using first principles density functional theory, we perform a systematic study of the band structures of passivated zigzag phosphorene nanoribbons (ZPNRs) and the transport properties of in-plane metal–semiconductor junctions. It is found that the ZPNR passivated by H, Cl or F atoms is a semiconductor, and the ZPNR passivated by C, O or S atoms is a metal. Therefore, ZPNRs with different passivated atoms can be fabricated into an in-plane metal–semiconductor junction. The calculated current–voltage characteristics indicate that these in-plane metal–semiconductor junctions can exhibit excellent rectification behavior. More importantly, we find that the type of passivated atom plays a very important role in the rectification ratio of this in-plane metal–semiconductor junction. The findings are very useful for the further design of functional nanodevices based on ZPNRs.
机译：使用第一原理密度泛函理论，我们对钝化之字形磷烯纳米带（ZPNR）的能带结构和平面内金属-半导体结的传输性质进行了系统的研究。发现被H，Cl或F原子钝化的ZPNR是半导体，并且被C，O或S原子钝化的ZPNR是金属。因此，可以将具有不同钝化原子的ZPNR制成面内金属-半导体结。计算出的电流-电压特性表明，这些面内金属-半导体结可以表现出出色的整流性能。更重要的是，我们发现钝化原子的类型在此面内金属-半导体结的整流比中起着非常重要的作用。这些发现对于基于ZPNR的功能纳米器件的进一步设计非常有用。

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